Описание
CV
Образование:
2017-2021 Российско-Армянский университет, Физика полупроводников.
2015-2017 Национальный политехнический университет Армении, Микроэлектроника, Степень Магистра․
2011-2015 Национальный политехнический университет Армении,Физика полупроводников,Степень бакалавра
Стаж работы:
2020-по сей деньАссистенткафедры общей физики и квантовых наноструктур Инженерно-физического института Российско-Армянского университета․
2015-по сей день“Синопсис Армения», Инженер по проектированию интегральных схем смешанных сигналов.
Награды/ премии:
2014Награда “Лучший бакалавр,, 2 место
2018 Награда“Лучшийаспирант,, 1 место
Образование:
2017-2021 Российско-Армянский университет, Физика полупроводников.
2015-2017 Национальный политехнический университет Армении, Микроэлектроника, Степень Магистра․
2011-2015 Национальный политехнический университет Армении,Физика полупроводников,Степень бакалавра
Стаж работы:
2020-по сей деньАссистенткафедры общей физики и квантовых наноструктур Инженерно-физического института Российско-Армянского университета․
2015-по сей день“Синопсис Армения», Инженер по проектированию интегральных схем смешанных сигналов.
Награды/ премии:
2014Награда “Лучший бакалавр,, 2 место
2018 Награда“Лучшийаспирант,, 1 место
Научные интересы
- Полупроводниковые нанотрубки
Список основных публикаций
- I.M. Danglyan,The Band Gap Controllability of Boron Nitride Nanotube with Carbon Atoms, Springer Proceedings in Physicsbook series (SPPHY, volume 255), 2020.
- I.M. Danglyan, E.M. Kazaryan, D.B. Hayrapetyan, The impact of carbon atoms on boron nitride nanotubes, in Journal of Physics: Conference Series (2019).