Квантовая и оптическая электроника

Описание

  • Учебная работа кафедры
Усилиями сотрудников кафедры разработаны оригинальные программы как общеобразовательных курсов для бакалавриата  («Квантовая и оптическая электроника», «Методы исследования материалов и структур электроники»), так и спецкурсов для магистратуры «Элементы квантовой и оптической информатики», «Спектроскопия», «Нелинейная оптика»)
 
  •           Основные научные направления кафeдры
  • Лазерная  физика, лазерная спектроскопия.
  • Нелинейная и квантовая оптика, квантовая информатика.
  • Кристаллофизика, включая нанокристаллические материалы.
  • Разработка и исследование новых материалов для лазерной физики и наноэлектроники.

Институт физических исследований предоставляет студентам возможность пользоваться научно-техническим оборудованием, а также научной библиотекой института.Сотрудники института осуществляют руководство курсовыми и дипломными работами студентов РАУ. Выпускники кафедры участвуют в выполнении международных исследовательских грантов, а также привлекаются  к работе в Ассоциированной французско-армянской лаборатории IRMAS.
  • Научная деятельность кафедры
Основные направления научной деятельности кафедры
  • Лазерная  физика, лазерная спектроскопия.
  • Нелинейная и квантовая оптика, квантовая информатика.
  • Кристаллофизика, включая нанокристаллические материалы.
  • Разработка и исследование новых материалов для лазерной физики и наноэлектроники.
Сотрудники кафедры выполняют научно-исследовательские работы как в рамках нучного плана Академии наук  РА, так и по тематическим  грантам РА и международным грантам  
Национальные гранты
  • 20DP-2B02 (2020-2022) (Мужикян П.)
  • 20RF-171 (2021-2022) (Ишханян А.)
Международные научно-исследовательские гранты, выполняемые сотрудниками кафедры
  • “Development of an optical magnetic sensing system for security checkpoints”, NATO SPS, MYP G5794 (2020-2023) (Папоян А., Газазян Э.)
Международные связи
  • Institute Carnot de Bourgogne, Université de Bourgogne Franche-Comté, Dijon, France
  • University of Latvia, Latvia
  • Helmholtz Institute Mainz, Germany
  • Московский физико-технический институт, Россия

ПРОГРАММЫ

Основные направления подготовки специалистов (бакалавриат, магистратура)
11.03.04 “Электроника и наноэлектроника”
11.04.04 “Электроника и наноэлектроника”

team

Арутюнян Сергей Рубенович

докторфиз.-мат.наук

Информация

Образование :
Ереванский государственный университет,
факультет радиофизики (1974-1979 гг.)
Опыт работы :
2017-                      Ведущий научный сотрудник при ИФИ НАН Армении.Российско-Армянский университет (2017- по наст. вр.- доцент)
2015-2016              VisitingResearchFellow при Институте Физики, Академия Наук, Тайбей, Тайвань
2013-2015              Старший научный сотрудник при ИФИ НАН Армении.
2012-2013              VisitingExpertпри Институте Физики, Академия Наук, Тайбей, Тайвань.
2010-2011              Старший научный сотрудник при ИФИ НАН Армении.
2008-2009              VisitingResearchFellowпри Институте Физики, Академия Наук, Тайбей, Тайвань.
2007-2008              Старший научный сотрудник при ИФИ НАН Армении.
2006-2007              VisitingResearchFellow при Институте Физики, Академия Наук, Тайбей, Тайвань.
2006                       VisitingScholarпри Институте Физики, Академия Наук, Тайбей, Тайвань.
1997 - 2006            Старший научный сотрудник при ИФИ НАН Армении.
1995 – 1997,          Ведущий инженер-технолог при “NEFMA” joint-stockcompany (Самара, Россия).
1988 – 1995,          Научный сотрудник при ИФИ НАН Армении.
1985 – 1988,          Ведущий технолог при компании“Лазерная Техника”.
1981 – 1985,          Очная аспирантура при Институте Кристаллографии АН СССР, Москва.
1979 – 1981,          Старший лаборант при ИФИ АН АрмССР.
 

Научные интересы

  • Физика низких температур, Термоэлектричество, Сверхпроводимость, Кондо-материалы, Топологические материалы, Физика твердого тела

Список основных публикаций

  • 1. С.Р. Арутюнян, В.О. Варданян, В.Р. Никогосян. “Низкотемпературные транспортные свойства монокристаллов гексаборида лантана La1-xCexB6”. Известия НАН Армении, Физика, т.53, №3, сс.310-319 (2018)
  • 2. С.Р. Арутюнян. “Термоэлектрический генератор на кристалле CeB6 : Исследование его характеристик”. Известия НАН Армении, Физика, т.53, №3, сс.333-338 (2018)
  • 3. Zh.S. Gevorkian, S.R. Harutyunyan, N.S. Ananikian, V.H. Arakelian, R.B. Ayvazyan, V.B. Gavalyan, N.K. Grigorian, H.S. Vardanyan, V.H. Sahakian, A.A. Hakobyan. “Observation of resonant diffusive radiation in random multilayered systems”. Physical Review Letters, v.97, No.4, 044801 (2006).
  • 4. W.H. Tsai, C.H. Chien, P.C. Lee, M.N. Ou, S.R. Harutyunyan, Y.Y. Chen. “Superconductivity and superconductor-insulator transition in single crystal Sb2Te3 nanoflakes”. arXiv preprint arXiv:1608.0537, 2016/8/18
  • 5. С.Р. Арутюнян. “Некоторые особенности магнитосопротивления и сопротивления холла в нанопластинах Sb2Te3”. Известия НАН Армении, Физика, т.52, №3, сс.331-340 (2017)
  • 6. С.Р. Арутюнян. “Зависимое от толщины магнитосопротивление нанопластин Sb2Te3 и эффект слабой антилокализации”. Известия НАН Армении, Физика, т.50, №3, сс.375-383 (2015).
  • 7. P.Ch. Lee, Y.Ch. Huang, C.H. Chien, F.Y. Chiu, Y.Y. Chen, S.R. Harutyunyan, “A comparative study of size-dependent magnetoresistance and hall resistance of Sb2Te3 nanoflakes”. Physica B: Condensed Matter, 459, pp.12–15 (2015).
  • 8. Y.Ch. Huang, P.C. Lee, C.H. Chien, F.Y. Chiu, Y.Y. Chen, S.R. Harutyunyan. “Magnetotransport properties of Sb2Te3nanoflake”. Physica B: Physics of Condensed Matter, v.452, pp.108–112 (2014).
  • 9. D. Dedi, P.Ch. Lee, Ch.H. Chien, G.P. Dong, W.Ch. Huang, Ch.L. Chen, Ch.M. Tseng, S.R. Harutyunyan, Ch.H. Lee, Y.Y. Chen, “Stress-induced growth of single-crystalline lead telluride nanowires and their thermoelectric transport properties“. Applied Physics Letters, v.103, No.2, 023115 (2013).
  • 10. M.N. Ou, S.R. Harutyunyan,S.J. Lai, C.D. Chen, T.J. Yang, Y.Y. Chen.“Electrical and thermal transport in single nickel nanowire”. Applied Physics Letters, v.92, No.6, 063101 (2008).

Дисциплины

Менеджеры